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Berechnetes Verspannungsprofil in einem p-MOSFET durch eingebettetes SiGe
Simulation von energieeffizienten CMOS-Bauelementen mit Stressoren
Drittmittelprojekt

Prof. Dr.-Ing. habil. Roland Stenzel

Die dringlichste Herausforderung auf dem Gebiet der Mikro- und Nanoelektronik besteht in einer massiven Steigerung der Energieeffizienz, insbesondere für die Schlüsselbranche Informations- und Kommunikationstechnologie. Die wichtigsten elementaren Funktionseinheiten der gegenwärtigen Nanoelektronik sind CMOS-Feldeffekttransistoren. Im Projekt sollen Stressoren zur Erhöhung der Ladungsträgerbeweglichkeit in Halbleiterstrukturen untersucht werden. Höhere Ladungsträgerbeweglichkeiten im Transistorkanal gestattet die Verringerung der Betriebspannungen und damit der Verluste im Bauelement bei vergleichbarer Leistungsfähigkeit. Umgekehrt lässt sich unter gleichen Bedingungen die Schaltgeschwindigkeit ohne Erhöhung der elektrischen Verluste steigern.

SAB / GLOBALFOUNDRIES Dresden

01.02.2009 bis 31.12.2011