Project image
Struktur eines Fin-FETs
Simulation von energieeffizienten Ultra-Kurzkanal-FETs
Drittmittelprojekt

Prof. Dr.-Ing. habil. Roland Stenzel

Im Projekt werden umfangreiche Prozess- und Bauelemente-simulationen durchgeführt. Damit ist es möglich Voraussagen zu treffen, wie verschiedene Transistorgeometrien bzw. technologische Parameter die elektrischen Kenngrößen der Transistoren beeinflussen. Ziel ist die Optimierung der Transistoren hinsichtlich der Verlustleistung unter Verwendung von Low-Thermal-Budget-Prozessen sowie die Untersuchung von verschiedenen Verspannungstechniken hinsichtlich der Wirksamkeit zur Beweglichkeitsverbesserung der Ladungsträger. Im Ergebnis soll eine optimale Transistorstruktur gefunden werden, die bei hoher Geschwindigkeit eine geringe Verlustleistung aufweist. Mit Hilfe der Prozess- und Bauelementesimulation lassen sich Zeit und Kosten einsparen sowie die experimentellen Arbeiten hinsichtlich eines besseren physikalischen Verständnisses begleiten. Aufgrund der rasanten Verkürzung der Entwicklungszyklen tritt die Bedeutung und Notwendigkeit der theoretischen Betrachtungen vor den experimentellen Untersuchungen immer mehr in den Vordergrund.


GLOBALFOUNDRIES/BMBF

01.01.2012 bis 31.12.2013