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Strukturaufbau eines vertikalen GaN-Leistungstransistors
Simulation von GaN-Leistungstransistoren
Drittmittelprojekt mit Industriebeteiligung

Prof. Dr.-Ing. habil. Roland Stenzel

Vertikale Bauelemente haben den Vorteil eines niedrigen Anlaufwiderstands kombiniert mit hoher Durchbruchspannung und hoher Stromdichte.

Das übergeordnete Ziel des Verbundprojekts ist die Entwicklung von speziell dotierten 2-Schicht-GaN-Bulk-Substraten. Diese Substrate sollen das Startmaterial für Hoch-Volt-Transistoren mit vertikaler Bauelement-Topologie auf GaN-Basis bilden und deren Umsetzbarkeit/Kommerzialisierung ermöglichen.

Bei der Untersuchung von neuen Halbleitermaterialien sowie bei der Entwicklung entsprechender Bauelemente sind numerische Simulationsverfahren ein wichtiges Hilfsmittel zur Einsparung von Versuchsläufen, zum Variantenvergleich, zur Fehlersuche sowie zur Optimierung der Bauelementestrukturen. Durch die Möglichkeit der Darstellung innerelektronischer Größen ist zudem ein höherer Verständnisgewinn möglich. Die Ergebnisse der Simulation und elektrischen Charakterisierung dienen als „Feedback“ für die weitere Substrat-Materialentwicklung sowie zur Dimensionierung der Bauelemente. Durch Variation verschiedener Schicht- und Layout-Parameter werden die Bauelemente optimiert.


BMBF

NaMLab gGmbH, Freiberger Compound Materials, RWTH Aachen

01.06.2014 bis 30.11.2017